簡介：PSEL近年來，提供大量的短波紅外（SWIR）相機(jī)和OEM定制產(chǎn)品。選擇高響應(yīng)度的InGaAs芯片，搭配低噪聲電子元件和深度冷卻裝置，可實(shí)現(xiàn)最佳的光子采集和信噪比。通過特殊的曝光模式在弱光水平條件下可以實(shí)現(xiàn)100%的無快門占空比和高靈敏度 典型應(yīng)用太陽能電池檢查 裸太陽能電池硅片檢查 天文學(xué) 爐內(nèi)溫度監(jiān)控 工業(yè)熱成像 成像光譜學(xué)&n
簡介：
PSEL近年來，提供大量的短波紅外（SWIR）相機(jī)和OEM定制產(chǎn)品。選擇高響應(yīng)度的InGaAs芯片，搭配低噪聲電子元件和深度冷卻裝置，可實(shí)現(xiàn)最佳的光子采集和信噪比。通過特殊的曝光模式在弱光水平條件下可以實(shí)現(xiàn)100%的無快門占空比和高靈敏度
典型應(yīng)用 | |
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SWIR InGaAs空氣制冷相機(jī)主要性能指標(biāo) |
l 相機(jī)采用數(shù)字化處理保證65535灰度級（16位）圖像的完整性，掃描頻率可達(dá)4x18MHz。
l 一級InGaAs芯片可操作性大約在99.5%，分辨率640x512。最大量子效率>70%
l 可用帶寬900-1700nm。輸入像元尺寸：15x15um，感光面尺寸：9.6x7.68mm
l 高增益模式：讀出噪聲：典型值27-35電子
l 典型滿阱容量（高增益模式）：23,000 – 28,000電子，動態(tài)范圍>800:1
l 中增益模式：讀出噪聲：典型值47-58電子
l 典型滿阱容量（中增益模式）：95,000 – 105,000電子，動態(tài)范圍>1800:1
l 低增益模式：讀出噪聲：典型值390-560電子
l 典型滿阱容量（低增益模式）：1,100,000 – 1,500,000電子，動態(tài)范圍>2200:1
l 二次空氣冷卻殼體提供350C的比熱容，可以將芯片熱噪聲降低到0.5fA以下（典型值0.2-0.4fA）。
l 相機(jī)校準(zhǔn)：補(bǔ)償，增益，平場，暗電流，非均勻響應(yīng)
l 最大幀速: >170fps （16位分辨率，4x18MHz掃描速率）
l 更高幀速（X，Y局部分辨率）：>500fps @320x256分辨率中心區(qū)域。
